半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
9期
1381-1387
,共7页
闫万珺%谢泉%张晋敏%肖清泉%梁艳%曾武贤
閆萬珺%謝泉%張晉敏%肖清泉%樑豔%曾武賢
염만군%사천%장진민%초청천%량염%증무현
β-FeSi2%电子结构%光学特性
β-FeSi2%電子結構%光學特性
β-FeSi2%전자결구%광학특성
采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了β-FeSi2基态的几何结构、能带结构和光学性质.能带结构计算表明β-FeSi2属于一种准直接带隙半导体,禁带宽度为0.74eV;其能态密度主要由Fe的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;利用计算的能带结构和态密度分析了带间跃迁占主导地位的β-FeSi2材料的介电函数、反射谱、折射率以及消光系数等光学性质计算结果,复介电函数的计算结果表明β-FeSi2具有各向异性的性质;吸收系数最大峰值为2.67×105 cm-1.
採用基于第一性原理的贗勢平麵波方法繫統地計算瞭β-FeSi2基態的幾何結構、能帶結構和光學性質.能帶結構計算錶明β-FeSi2屬于一種準直接帶隙半導體,禁帶寬度為0.74eV;其能態密度主要由Fe的3d層電子和Si的3p層電子的能態密度決定;利用計算的能帶結構和態密度分析瞭帶間躍遷佔主導地位的β-FeSi2材料的介電函數、反射譜、摺射率以及消光繫數等光學性質計算結果,複介電函數的計算結果錶明β-FeSi2具有各嚮異性的性質;吸收繫數最大峰值為2.67×105 cm-1.
채용기우제일성원리적안세평면파방법계통지계산료β-FeSi2기태적궤하결구、능대결구화광학성질.능대결구계산표명β-FeSi2속우일충준직접대극반도체,금대관도위0.74eV;기능태밀도주요유Fe적3d층전자화Si적3p층전자적능태밀도결정;이용계산적능대결구화태밀도분석료대간약천점주도지위적β-FeSi2재료적개전함수、반사보、절사솔이급소광계수등광학성질계산결과,복개전함수적계산결과표명β-FeSi2구유각향이성적성질;흡수계수최대봉치위2.67×105 cm-1.
