无机材料学报
無機材料學報
무궤재료학보
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS
2007年
4期
720-724
,共5页
刘金锋%刘忠良%武煜宇%徐彭寿%汤洪高
劉金鋒%劉忠良%武煜宇%徐彭壽%湯洪高
류금봉%류충량%무욱우%서팽수%탕홍고
碳化硅薄膜%硅衬底%固源分子束外延%衬底温度
碳化硅薄膜%硅襯底%固源分子束外延%襯底溫度
탄화규박막%규츤저%고원분자속외연%츤저온도
利用固源分子束外延(SSMBE)技术,在Si(111)衬底上异质外延生长3G-SiC单晶薄膜,通过RHEED、XRD、AFM、XPS等实验方法研究了衬底温度对薄膜结构、形貌和化学组分的影响.研究结果表明,1000℃生长的样品具有好的结晶质量和单晶性.在更高的衬底温度下生长,会导致大的孔洞形成,衬底和薄膜间大的热失配使降温过程中薄膜内形成更多位错,从而使晶体质量变差.在低衬底温度下生长,由于偏离理想的化学配比也会导致薄膜的晶体质量降低.
利用固源分子束外延(SSMBE)技術,在Si(111)襯底上異質外延生長3G-SiC單晶薄膜,通過RHEED、XRD、AFM、XPS等實驗方法研究瞭襯底溫度對薄膜結構、形貌和化學組分的影響.研究結果錶明,1000℃生長的樣品具有好的結晶質量和單晶性.在更高的襯底溫度下生長,會導緻大的孔洞形成,襯底和薄膜間大的熱失配使降溫過程中薄膜內形成更多位錯,從而使晶體質量變差.在低襯底溫度下生長,由于偏離理想的化學配比也會導緻薄膜的晶體質量降低.
이용고원분자속외연(SSMBE)기술,재Si(111)츤저상이질외연생장3G-SiC단정박막,통과RHEED、XRD、AFM、XPS등실험방법연구료츤저온도대박막결구、형모화화학조분적영향.연구결과표명,1000℃생장적양품구유호적결정질량화단정성.재경고적츤저온도하생장,회도치대적공동형성,츤저화박막간대적열실배사강온과정중박막내형성경다위착,종이사정체질량변차.재저츤저온도하생장,유우편리이상적화학배비야회도치박막적정체질량강저.
