电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2007年
8期
30-33,38
,共5页
向李艳%邬齐荣%龚敏%陈畅
嚮李豔%鄔齊榮%龔敏%陳暢
향리염%오제영%공민%진창
静电保护%ISE-TCAD%可控硅整流器
靜電保護%ISE-TCAD%可控硅整流器
정전보호%ISE-TCAD%가공규정류기
传统的ESD保护电路设计主要基于尝试性和破坏性的实验,这种方法不利于产品的推出[1].文中提出使用ISE-TCAD工具对ESD保护电路进行模拟和优化,以快速地获取面积参数.并以某一典型0.6 μm CMOS工艺的可控硅整流器(SCR)结构为例,进行ESD人体放电模型的模拟和面积估算,达到了缩短设计周期和增加设计成功率的目的.
傳統的ESD保護電路設計主要基于嘗試性和破壞性的實驗,這種方法不利于產品的推齣[1].文中提齣使用ISE-TCAD工具對ESD保護電路進行模擬和優化,以快速地穫取麵積參數.併以某一典型0.6 μm CMOS工藝的可控硅整流器(SCR)結構為例,進行ESD人體放電模型的模擬和麵積估算,達到瞭縮短設計週期和增加設計成功率的目的.
전통적ESD보호전로설계주요기우상시성화파배성적실험,저충방법불리우산품적추출[1].문중제출사용ISE-TCAD공구대ESD보호전로진행모의화우화,이쾌속지획취면적삼수.병이모일전형0.6 μm CMOS공예적가공규정류기(SCR)결구위례,진행ESD인체방전모형적모의화면적고산,체도료축단설계주기화증가설계성공솔적목적.
