半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
7期
1117-1120
,共4页
于丽娟%赵洪泉%杜云%李敬%黄永箴
于麗娟%趙洪泉%杜雲%李敬%黃永箴
우려연%조홍천%두운%리경%황영잠
硅基激光器%连续激射%直接键合
硅基激光器%連續激射%直接鍵閤
규기격광기%련속격사%직접건합
采用键合技术在Si基上制备了InP-InGaAsP量子阱激光器,实现了电注入室温连续工作.采用低温直接键合的方法,将Si衬底和InP-InGaAsP外延片键合在一起,并制成条宽6μm的脊波导边发射激光器.室温连续工作的1.55μm激光器阈值电流为48mA,对应的阈值电流密度和微分电阻分别为2.13kA/cm2和5.8Ω,在约220mA时输出光功率达15mW.
採用鍵閤技術在Si基上製備瞭InP-InGaAsP量子阱激光器,實現瞭電註入室溫連續工作.採用低溫直接鍵閤的方法,將Si襯底和InP-InGaAsP外延片鍵閤在一起,併製成條寬6μm的脊波導邊髮射激光器.室溫連續工作的1.55μm激光器閾值電流為48mA,對應的閾值電流密度和微分電阻分彆為2.13kA/cm2和5.8Ω,在約220mA時輸齣光功率達15mW.
채용건합기술재Si기상제비료InP-InGaAsP양자정격광기,실현료전주입실온련속공작.채용저온직접건합적방법,장Si츤저화InP-InGaAsP외연편건합재일기,병제성조관6μm적척파도변발사격광기.실온련속공작적1.55μm격광기역치전류위48mA,대응적역치전류밀도화미분전조분별위2.13kA/cm2화5.8Ω,재약220mA시수출광공솔체15mW.
