常压MOCVD生长Ga2O3薄膜及其分析
상압MOCVD생장Ga2O3박막급기분석
Ga2O3 Thin Films Grown on Sapphire by Atmospheric Pressure MOCVD
  • 万方数据
    发光学报 발광학보
    CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
    2006年 3期 417-420 ,共4页

    戴江南%王立%方文卿%蒲勇%李璠%郑畅达%刘卫华%江风益

    대강남%왕립%방문경%포용%리번%정창체%류위화%강풍익

    金属有机化学气相沉积%氧化镓%原子力显微镜%X射线衍射%二次离子质谱 金屬有機化學氣相沉積%氧化鎵%原子力顯微鏡%X射線衍射%二次離子質譜
    금속유궤화학기상침적%양화가%원자력현미경%X사선연사%이차리자질보
    以去离子水(H2O)和三甲基镓(TMGa)为源材料,用常压MOCVD方法在蓝宝石(0001)面上生长出β-Ga2O3薄膜.用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)以及二次离子质谱(SIMS)实验表征Ga2O3外延膜的质量.在X射线衍射谱中有一个强的Ga2O3(102)面衍射峰,其半峰全宽(FWHM)为O.25°,表明该Ga2O3外延膜是(102)择优取向.在二次离子质谱中除了C、H、O和Ga原子外,没有观测到其他原子.
    이거리자수(H2O)화삼갑기가(TMGa)위원재료,용상압MOCVD방법재람보석(0001)면상생장출β-Ga2O3박막.용원자력현미경(AFM)、X사선연사(XRD)이급이차리자질보(SIMS)실험표정Ga2O3외연막적질량.재X사선연사보중유일개강적Ga2O3(102)면연사봉,기반봉전관(FWHM)위O.25°,표명해Ga2O3외연막시(102)택우취향.재이차리자질보중제료C、H、O화Ga원자외,몰유관측도기타원자.
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