半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2006年
1期
37-41
,共5页
激光烧蚀沉积%硅基纳米材料%挡板技术%背散射技术
激光燒蝕沉積%硅基納米材料%擋闆技術%揹散射技術
격광소식침적%규기납미재료%당판기술%배산사기술
纳米材料尺度的均匀性分布是保证纳米硅材料高效发光的基本要求,而纳米材料尺度分布的不均匀性却是纳米硅材料制备过程中的常见问题.在激光烧蚀沉积纳米硅材料中采用挡板技术和背散射技术提高了材料的尺度分布的均匀性,减少了材料表面的大颗粒,有效改善了材料的发光特性,使材料的发光强度提高,且发光峰的半峰宽变窄.
納米材料呎度的均勻性分佈是保證納米硅材料高效髮光的基本要求,而納米材料呎度分佈的不均勻性卻是納米硅材料製備過程中的常見問題.在激光燒蝕沉積納米硅材料中採用擋闆技術和揹散射技術提高瞭材料的呎度分佈的均勻性,減少瞭材料錶麵的大顆粒,有效改善瞭材料的髮光特性,使材料的髮光彊度提高,且髮光峰的半峰寬變窄.
납미재료척도적균균성분포시보증납미규재료고효발광적기본요구,이납미재료척도분포적불균균성각시납미규재료제비과정중적상견문제.재격광소식침적납미규재료중채용당판기술화배산사기술제고료재료적척도분포적균균성,감소료재료표면적대과립,유효개선료재료적발광특성,사재료적발광강도제고,차발광봉적반봉관변착.
