半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
8期
1004-1008
,共5页
叶晓军%朱晓鹏%徐云%孙永伟%侯识华%种明%陈良惠
葉曉軍%硃曉鵬%徐雲%孫永偉%侯識華%種明%陳良惠
협효군%주효붕%서운%손영위%후식화%충명%진량혜
二维光场模拟%GaN激光器%脊形宽度%刻蚀深度%发散角
二維光場模擬%GaN激光器%脊形寬度%刻蝕深度%髮散角
이유광장모의%GaN격광기%척형관도%각식심도%발산각
采用有限差分法对GaN基多量子阱(MQWs)脊形激光器进行二维光场模拟.InGaN和AlGaN材料的折射率分别由修正的Brunner以及Bergmann方法得到.分析了激光器单模特性和远场发散角同器件的脊形刻蚀深度和脊形条宽的关系.研究了在脊形上用Si/SiO2膜取代传统SiO2介质膜这种新的脊形设计对激光器结构参数的影响.模拟结果发现,脊形条宽越窄,脊形刻蚀深度越深,平行结平面方向的发散角越大,但由此会引起单模特性不稳定,两者之间有一个折衷值.通过引入新的脊形设计,可以降低对器件刻蚀深度精度的要求,同时有很好的单模稳定性.
採用有限差分法對GaN基多量子阱(MQWs)脊形激光器進行二維光場模擬.InGaN和AlGaN材料的摺射率分彆由脩正的Brunner以及Bergmann方法得到.分析瞭激光器單模特性和遠場髮散角同器件的脊形刻蝕深度和脊形條寬的關繫.研究瞭在脊形上用Si/SiO2膜取代傳統SiO2介質膜這種新的脊形設計對激光器結構參數的影響.模擬結果髮現,脊形條寬越窄,脊形刻蝕深度越深,平行結平麵方嚮的髮散角越大,但由此會引起單模特性不穩定,兩者之間有一箇摺衷值.通過引入新的脊形設計,可以降低對器件刻蝕深度精度的要求,同時有很好的單模穩定性.
채용유한차분법대GaN기다양자정(MQWs)척형격광기진행이유광장모의.InGaN화AlGaN재료적절사솔분별유수정적Brunner이급Bergmann방법득도.분석료격광기단모특성화원장발산각동기건적척형각식심도화척형조관적관계.연구료재척형상용Si/SiO2막취대전통SiO2개질막저충신적척형설계대격광기결구삼수적영향.모의결과발현,척형조관월착,척형각식심도월심,평행결평면방향적발산각월대,단유차회인기단모특성불은정,량자지간유일개절충치.통과인입신적척형설계,가이강저대기건각식심도정도적요구,동시유흔호적단모은정성.
