仪器仪表学报
儀器儀錶學報
의기의표학보
CHINESE JOURNAL OF SCIENTIFIC INSTRUMENT
2003年
z2期
239-240
,共2页
于毅%赵宏锦%任天令%刘理天
于毅%趙宏錦%任天令%劉理天
우의%조굉금%임천령%류리천
氮化铝薄膜%直流磁控反应溅射%择优取向%刻%蚀
氮化鋁薄膜%直流磁控反應濺射%擇優取嚮%刻%蝕
담화려박막%직류자공반응천사%택우취향%각%식
采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了具有较好(002)择优取向性的AlN薄膜.采用典型的半导体光刻工艺,利用刻蚀溶液成功地获得了AlN薄膜微图形.较好地解决了AlN薄膜制备与加工中存在的关键问题,为高品质硅基AlN薄膜滤波器的实现奠定了良好的工艺基础.
採用直流磁控反應濺射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上製備瞭具有較好(002)擇優取嚮性的AlN薄膜.採用典型的半導體光刻工藝,利用刻蝕溶液成功地穫得瞭AlN薄膜微圖形.較好地解決瞭AlN薄膜製備與加工中存在的關鍵問題,為高品質硅基AlN薄膜濾波器的實現奠定瞭良好的工藝基礎.
채용직류자공반응천사법,재Si(100)화Pt/Ti/Si(100)상제비료구유교호(002)택우취향성적AlN박막.채용전형적반도체광각공예,이용각식용액성공지획득료AlN박막미도형.교호지해결료AlN박막제비여가공중존재적관건문제,위고품질규기AlN박막려파기적실현전정료량호적공예기출.
