合成GaP纳米晶过程的关键影响因素
합성GaP납미정과정적관건영향인소
Key Factors in Preparation of GaP Nanocrystals
  • 万方数据
    人工晶体学报 인공정체학보

    2003年 3期 224-227 ,共4页

    刘振刚%于美燕%白玉俊%郝霄鹏%王琪珑%于乃森%崔得良

    류진강%우미연%백옥준%학소붕%왕기롱%우내삼%최득량

    磷化镓%纳米晶%纳米棒%X射线衍射%关键因素 燐化鎵%納米晶%納米棒%X射線衍射%關鍵因素
    린화가%납미정%납미봉%X사선연사%관건인소
    本文系统研究了在有机溶剂中常压合成GaP纳米晶过程中反应温度、反应时间、反应体系的均匀性和原料的比例等关键影响因素.GaP纳米晶的产率、形貌以及平均粒度随着这些关键因素的改变有很大的不同.制备的GaP纳米晶用X射线衍射仪和透射电镜进行了表征.发现了最优化的合成工艺条件,实现了GaP纳米晶的高产率(达85%)制备,而且形貌和粒度可以根据需要进行调控.
    본문계통연구료재유궤용제중상압합성GaP납미정과정중반응온도、반응시간、반응체계적균균성화원료적비례등관건영향인소.GaP납미정적산솔、형모이급평균립도수착저사관건인소적개변유흔대적불동.제비적GaP납미정용X사선연사의화투사전경진행료표정.발현료최우화적합성공예조건,실현료GaP납미정적고산솔(체85%)제비,이차형모화립도가이근거수요진행조공.
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