CAJ | 학술논문

用直流磁控反应溅射技术制备了综合性能优良的ZnO:Al(ZAO)薄膜.X光衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和Auger电子能谱(AES)等分析结果表明,适量的铝掺杂和氧流量可有效地控制Al2O3相的生成.铝在薄膜表面的存在形式单一,并且Zn,O,Al各元素纵向分布均匀.理论与实验研究表明,对于高度简并的ZAO半导体薄膜,在温度较低时,离化杂质散射占主导地位;温度较高时,晶格振动散射将成为主要的散射机制;晶界散射仅当晶粒尺寸较小(与电子的平均自由程相当)时才起作用.此外,优化工艺参数可获得低电阻率(～5×10-4Ωcm)的ZAO薄膜.在可见光区,其透射率＞80%;在近中红外光区,其反射率＞60%.
용직류자공반응천사기술제비료종합성능우량적ZnO:Al(ZAO)박막.X광연사(XRD)、광전자능보(XPS)화Auger전자능보(AES)등분석결과표명,괄량적려참잡화양류량가유효지공제Al2O3상적생성.려재박막표면적존재형식단일,병차Zn,O,Al각원소종향분포균균.이론여실험연구표명,대우고도간병적ZAO반도체박막,재온도교저시,리화잡질산사점주도지위;온도교고시,정격진동산사장성위주요적산사궤제;정계산사부당정립척촌교소(여전자적평균자유정상당)시재기작용.차외,우화공예삼수가획득저전조솔(～5×10-4Ωcm)적ZAO박막.재가견광구,기투사솔＞80%;재근중홍외광구,기반사솔＞60%.