量子电子学报
量子電子學報
양자전자학보
CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
2001年
4期
320-323
,共4页
胡义华%刘美希%陈丽%王小涓%储焰南%曹德兆
鬍義華%劉美希%陳麗%王小涓%儲燄南%曹德兆
호의화%류미희%진려%왕소연%저염남%조덕조
碰撞传能%化学发光%NH(A3Ⅱ)的发射光谱
踫撞傳能%化學髮光%NH(A3Ⅱ)的髮射光譜
팽당전능%화학발광%NH(A3Ⅱ)적발사광보
本文在流动余辉装置上,研究了亚稳态He(23S)原子与N2H4分子碰撞传能,观察到了激发态产物NH(A3II→X3∑+)、NH(c1II→a1△)、NH2(A2A1→X2B1)的发射光谱,由相对光谱强度求得了形成各产物的通道比;分析NH(A3II,v＇=0)的转动分辨谱的结果表明,v＇=0能级上的转动布居是"双模”分布,激发态产物NH(A)、NH2(A)的形成机理可能是: He(23S)+N2H4→N2H4*→NH(A)+NH2(A)+H.
本文在流動餘輝裝置上,研究瞭亞穩態He(23S)原子與N2H4分子踫撞傳能,觀察到瞭激髮態產物NH(A3II→X3∑+)、NH(c1II→a1△)、NH2(A2A1→X2B1)的髮射光譜,由相對光譜彊度求得瞭形成各產物的通道比;分析NH(A3II,v＇=0)的轉動分辨譜的結果錶明,v＇=0能級上的轉動佈居是"雙模”分佈,激髮態產物NH(A)、NH2(A)的形成機理可能是: He(23S)+N2H4→N2H4*→NH(A)+NH2(A)+H.
본문재류동여휘장치상,연구료아은태He(23S)원자여N2H4분자팽당전능,관찰도료격발태산물NH(A3II→X3∑+)、NH(c1II→a1△)、NH2(A2A1→X2B1)적발사광보,유상대광보강도구득료형성각산물적통도비;분석NH(A3II,v＇=0)적전동분변보적결과표명,v＇=0능급상적전동포거시"쌍모”분포,격발태산물NH(A)、NH2(A)적형성궤리가능시: He(23S)+N2H4→N2H4*→NH(A)+NH2(A)+H.
