材料研究学报
材料研究學報
재료연구학보
CHINESE JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH
2001年
4期
409-414
,共6页
丁瑞钦%王浩%佘卫龙%王宁娟%于英敏
丁瑞欽%王浩%佘衛龍%王寧娟%于英敏
정서흠%왕호%사위룡%왕저연%우영민
InP/SiO2纳米复合膜%化学组分%微观结构%光致发光
InP/SiO2納米複閤膜%化學組分%微觀結構%光緻髮光
InP/SiO2납미복합막%화학조분%미관결구%광치발광
应用射频磁控共溅射方法,分别在InP薄片与磁控靶底座紧接触(方法1)和InP薄片放在石英靶表面(方法2)两种情况下制备了 InP/SiO2复合薄膜,并分别在高纯H2中和在P气氛中对薄膜进行了热处理X射线光电子能谱表明,对于用方法1制备的复合膜,其SiO2中的氧缺位、P和 In的氧化物的含量都比用方法2的少得多X射线和卢瑟福背散射实验结果表明,在P气氛下的高温 (520℃)热处理,可以彻底地消除这些氧缺位和氧化物而得到符合化学计量的InP/SiO2纳米颗粒复合薄膜复合薄膜的光致发光特性与制备工艺密切相关较详细地阐述了俘获态对光致发光影响的机理
應用射頻磁控共濺射方法,分彆在InP薄片與磁控靶底座緊接觸(方法1)和InP薄片放在石英靶錶麵(方法2)兩種情況下製備瞭 InP/SiO2複閤薄膜,併分彆在高純H2中和在P氣氛中對薄膜進行瞭熱處理X射線光電子能譜錶明,對于用方法1製備的複閤膜,其SiO2中的氧缺位、P和 In的氧化物的含量都比用方法2的少得多X射線和盧瑟福揹散射實驗結果錶明,在P氣氛下的高溫 (520℃)熱處理,可以徹底地消除這些氧缺位和氧化物而得到符閤化學計量的InP/SiO2納米顆粒複閤薄膜複閤薄膜的光緻髮光特性與製備工藝密切相關較詳細地闡述瞭俘穫態對光緻髮光影響的機理
응용사빈자공공천사방법,분별재InP박편여자공파저좌긴접촉(방법1)화InP박편방재석영파표면(방법2)량충정황하제비료 InP/SiO2복합박막,병분별재고순H2중화재P기분중대박막진행료열처리X사선광전자능보표명,대우용방법1제비적복합막,기SiO2중적양결위、P화 In적양화물적함량도비용방법2적소득다X사선화로슬복배산사실험결과표명,재P기분하적고온 (520℃)열처리,가이철저지소제저사양결위화양화물이득도부합화학계량적InP/SiO2납미과립복합박막복합박막적광치발광특성여제비공예밀절상관교상세지천술료부획태대광치발광영향적궤리
