中国科学C辑
中國科學C輯
중국과학C집
SCIENCE IN CHINA (SERIES C)
2001年
2期
178-184
,共7页
张连文%林维真%潘景喜%韩镇辉%林念芸
張連文%林維真%潘景喜%韓鎮輝%林唸蕓
장련문%림유진%반경희%한진휘%림념예
光敏治疗 核黄素(VB2) 琼脂糖凝胶电泳 质粒DNA
光敏治療 覈黃素(VB2) 瓊脂糖凝膠電泳 質粒DNA
광민치료 핵황소(VB2) 경지당응효전영 질립DNA
以琼脂糖凝胶电泳研究了波长为427~457 nm可见光照射下核黄素(VB2)光敏诱导的质粒DNA损伤, 结果发现DNA光敏损伤主要与照光量、核黄素和DNA浓度比、溶液中的氧气等有关. 在无氧条件下光敏损伤更为显著, 证明VB2光敏损伤DNA 主要是通过VB2激发三重态与DNA碱基组分间发生电荷转移导致其产生氧化性损伤实现的.表明核黄素光敏损伤DNA时最佳浓度比为bp∶VB2 = 3.5∶1. 对照结果表明, 单链DNA(ssDNA)比双链DNA(dsDNA)的碱基更易被核黄素敏化发生损伤, 这可能是由于ssDNA中碱基暴露的原因.
以瓊脂糖凝膠電泳研究瞭波長為427~457 nm可見光照射下覈黃素(VB2)光敏誘導的質粒DNA損傷, 結果髮現DNA光敏損傷主要與照光量、覈黃素和DNA濃度比、溶液中的氧氣等有關. 在無氧條件下光敏損傷更為顯著, 證明VB2光敏損傷DNA 主要是通過VB2激髮三重態與DNA堿基組分間髮生電荷轉移導緻其產生氧化性損傷實現的.錶明覈黃素光敏損傷DNA時最佳濃度比為bp∶VB2 = 3.5∶1. 對照結果錶明, 單鏈DNA(ssDNA)比雙鏈DNA(dsDNA)的堿基更易被覈黃素敏化髮生損傷, 這可能是由于ssDNA中堿基暴露的原因.
이경지당응효전영연구료파장위427~457 nm가견광조사하핵황소(VB2)광민유도적질립DNA손상, 결과발현DNA광민손상주요여조광량、핵황소화DNA농도비、용액중적양기등유관. 재무양조건하광민손상경위현저, 증명VB2광민손상DNA 주요시통과VB2격발삼중태여DNA감기조분간발생전하전이도치기산생양화성손상실현적.표명핵황소광민손상DNA시최가농도비위bp∶VB2 = 3.5∶1. 대조결과표명, 단련DNA(ssDNA)비쌍련DNA(dsDNA)적감기경역피핵황소민화발생손상, 저가능시유우ssDNA중감기폭로적원인.
