辐射研究与辐射工艺学报
輻射研究與輻射工藝學報
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JOURNAL OF RADIATION RESEARCH AND RADIATION PROCESSING
2001年
2期
144-147
,共4页
钟雨乐%黄君凯%刘伟平%李京娜
鐘雨樂%黃君凱%劉偉平%李京娜
종우악%황군개%류위평%리경나
高能电子辐照%非晶硅%微晶化
高能電子輻照%非晶硅%微晶化
고능전자복조%비정규%미정화
氢化非晶硅(a-Si:H)是无序硅网络中嵌入一定量H原子的非晶态硅一氢合金膜,结构上存在许多不稳定的弱Si-Si键及各种畸变键,在光、电老化过程中,它们会断裂或变形,导致缺陷态的增加,使材料性能变坏.a-Si:H微晶化后,这些缺点将得到有效的克服.结果发现,用0.3-0.5MeV、注入束流密度1.3×1019cm-2s-1的高能电子辐照10-600s,a-Si:H膜会出现微晶化现象,晶粒大小为10-20nm,晶化层厚度为25-250nm.
氫化非晶硅(a-Si:H)是無序硅網絡中嵌入一定量H原子的非晶態硅一氫閤金膜,結構上存在許多不穩定的弱Si-Si鍵及各種畸變鍵,在光、電老化過程中,它們會斷裂或變形,導緻缺陷態的增加,使材料性能變壞.a-Si:H微晶化後,這些缺點將得到有效的剋服.結果髮現,用0.3-0.5MeV、註入束流密度1.3×1019cm-2s-1的高能電子輻照10-600s,a-Si:H膜會齣現微晶化現象,晶粒大小為10-20nm,晶化層厚度為25-250nm.
경화비정규(a-Si:H)시무서규망락중감입일정량H원자적비정태규일경합금막,결구상존재허다불은정적약Si-Si건급각충기변건,재광、전노화과정중,타문회단렬혹변형,도치결함태적증가,사재료성능변배.a-Si:H미정화후,저사결점장득도유효적극복.결과발현,용0.3-0.5MeV、주입속류밀도1.3×1019cm-2s-1적고능전자복조10-600s,a-Si:H막회출현미정화현상,정립대소위10-20nm,정화층후도위25-250nm.
