中国科学A辑
中國科學A輯
중국과학A집
SCIENCE IN CHINA (SERIES A)
2000年
7期
644-652
,共9页
王占国%刘峰奇%梁基本%徐波
王佔國%劉峰奇%樑基本%徐波
왕점국%류봉기%량기본%서파
量子点%空间有序%量子点激光器
量子點%空間有序%量子點激光器
양자점%공간유서%양자점격광기
利用分子束外延技术和Stranski-Krastanow生长模式,系统研究了In(Ga)As/GaAs, InAlAs/AlGaAs/GaAs,In(Ga)As/InAlAs/InP材料体系应变自组装量子点的形成和演化.通过调节实验条件,可以对量子点的空间排列及有序性进行控制,并实现了InP衬底上量子点向量子线的渡越.研制出激射波长λ=960 nm,条宽100 μm,腔长800 μm 的InAs/GaAs量子点激光器,室温连续输出功率大于1 W,室温阈值电流密度218 A/cm2,0.53 W室温连续工作寿命超过3 000 h.
利用分子束外延技術和Stranski-Krastanow生長模式,繫統研究瞭In(Ga)As/GaAs, InAlAs/AlGaAs/GaAs,In(Ga)As/InAlAs/InP材料體繫應變自組裝量子點的形成和縯化.通過調節實驗條件,可以對量子點的空間排列及有序性進行控製,併實現瞭InP襯底上量子點嚮量子線的渡越.研製齣激射波長λ=960 nm,條寬100 μm,腔長800 μm 的InAs/GaAs量子點激光器,室溫連續輸齣功率大于1 W,室溫閾值電流密度218 A/cm2,0.53 W室溫連續工作壽命超過3 000 h.
이용분자속외연기술화Stranski-Krastanow생장모식,계통연구료In(Ga)As/GaAs, InAlAs/AlGaAs/GaAs,In(Ga)As/InAlAs/InP재료체계응변자조장양자점적형성화연화.통과조절실험조건,가이대양자점적공간배렬급유서성진행공제,병실현료InP츤저상양자점향양자선적도월.연제출격사파장λ=960 nm,조관100 μm,강장800 μm 적InAs/GaAs양자점격광기,실온련속수출공솔대우1 W,실온역치전류밀도218 A/cm2,0.53 W실온련속공작수명초과3 000 h.
