具有TiN扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的可靠性
구유TiN확산조당층적n-GaAs구모접촉적가고성
Reliability of n-GaAs Ohmic Contact With TiN Diffusion Barrier
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2000年 6期 608-613 ,共6页

    张万荣%李志国%穆甫臣%程尧海%孙英华%郭伟玲%陈建新%沈光地%张玉清%张慕义

    장만영%리지국%목보신%정요해%손영화%곽위령%진건신%침광지%장옥청%장모의

    欧姆接触%可靠性%阻挡层 歐姆接觸%可靠性%阻擋層
    구모접촉%가고성%조당층
    提出了金属-半导体欧姆接触退化的快速评估方法--温度斜坡快速评价法,并建立了自动评估系统,用该方法和系统测得的欧姆接触退化激活能,和传统方法相比,耗时少,所需样品少,所得结果和传统方法一致.针对传统AuGeNi/Au欧姆接触系统的缺点,提出了加TiN扩散阻挡层的新型欧姆接触系统.实验表明新型欧姆接触系统的可靠性远远优于传统AuGeNi/Au欧姆接触系统.
    제출료금속-반도체구모접촉퇴화적쾌속평고방법--온도사파쾌속평개법,병건립료자동평고계통,용해방법화계통측득적구모접촉퇴화격활능,화전통방법상비,모시소,소수양품소,소득결과화전통방법일치.침대전통AuGeNi/Au구모접촉계통적결점,제출료가TiN확산조당층적신형구모접촉계통.실험표명신형구모접촉계통적가고성원원우우전통AuGeNi/Au구모접촉계통.
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