Si1-XGeX/Si红外光电探测器
Si1-XGeX/Si홍외광전탐측기
Si1-XGeX/Si Infrared Photodetectors
  • 万方数据
    光电子·激光 광전자·격광
    JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
    2000年 1期 17-19 ,共3页

    江若琏%罗志云%陈卫民%臧岚%朱顺明%刘夏冰%程雪梅%陈志忠%韩平%王荣华%郑有斗

    강약련%라지운%진위민%장람%주순명%류하빙%정설매%진지충%한평%왕영화%정유두

    光电探测器%SiGe合金%响应度 光電探測器%SiGe閤金%響應度
    광전탐측기%SiGe합금%향응도
    本文报导了用两种缓冲层生长技术研制的Si1-XGeX/Si异质结pin型红外探测器.其波长范围为0.70～1.55 μm,峰值波长为0.96～1.06 μm,暗电流密度低达0.03 μA/mm2(-2V),在1.30 μm处的响应度高达0.15 A/W(-5V);讨论了Ge组分、外延层厚度、偏置电压等对探测器参数的影响.
    본문보도료용량충완충층생장기술연제적Si1-XGeX/Si이질결pin형홍외탐측기.기파장범위위0.70～1.55 μm,봉치파장위0.96～1.06 μm,암전류밀도저체0.03 μA/mm2(-2V),재1.30 μm처적향응도고체0.15 A/W(-5V);토론료Ge조분、외연층후도、편치전압등대탐측기삼수적영향.
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