电子科技大学学报
電子科技大學學報
전자과기대학학보
JOURNAL OF UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
1999年
5期
490-493
,共4页
锗硅合金%分子束外延%有效组成成分
鍺硅閤金%分子束外延%有效組成成分
타규합금%분자속외연%유효조성성분
介绍了用MBE法生长SiGe/Si新材料的无氧外延表面等关键技术,并据此外延生长出本征和掺杂Si1-xGex /Si材料.其测试结果与分析表明,该合金材料有效组成成分(x=0.15)和电学参数符合理论设计目标.利用该材料试制成功了Si1-xGex-PMOS(x =0.18)器件.
介紹瞭用MBE法生長SiGe/Si新材料的無氧外延錶麵等關鍵技術,併據此外延生長齣本徵和摻雜Si1-xGex /Si材料.其測試結果與分析錶明,該閤金材料有效組成成分(x=0.15)和電學參數符閤理論設計目標.利用該材料試製成功瞭Si1-xGex-PMOS(x =0.18)器件.
개소료용MBE법생장SiGe/Si신재료적무양외연표면등관건기술,병거차외연생장출본정화참잡Si1-xGex /Si재료.기측시결과여분석표명,해합금재료유효조성성분(x=0.15)화전학삼수부합이론설계목표.이용해재료시제성공료Si1-xGex-PMOS(x =0.18)기건.
