GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAs生长温度的影响
GaAs/Si/AlAs이질결적대계화GaAs생장온도적영향
Tuning GaAs/AlAs Band Discontinuities and Influence of GaAs at Different Growth Temperatures
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2003年 2期 168-172 ,共5页

    李永平%澜清%吴正龙%周大勇%孔云川%牛智川%田强%杨锡震%王亚非

    리영평%란청%오정룡%주대용%공운천%우지천%전강%양석진%왕아비

    GaAs/AlAs异质结%Si夹层%XPS测量%C-V测量%DLTS测量%带阶调节 GaAs/AlAs異質結%Si夾層%XPS測量%C-V測量%DLTS測量%帶階調節
    GaAs/AlAs이질결%Si협층%XPS측량%C-V측량%DLTS측량%대계조절
    用分子束外延(MBE)设备制备了GaAs/AlAs和GaAs/Si/AlAs异质结,通过XPS分别研究了异质结界面处Si层厚度为0.5ML和1ML对异质结带阶的调节,得到最大调节量为0.2eV;通过C-V法研究了异质结的GaAs层在不同温度下生长对0.5ML Si夹层的影响,得到Si夹层的空间分布随GaAs层生长温度的升高而扩散增强的温度效应,通过深能级瞬态谱(DLTS)研究了在上述不同温度下生长的GaAs层的晶体质量.
    용분자속외연(MBE)설비제비료GaAs/AlAs화GaAs/Si/AlAs이질결,통과XPS분별연구료이질결계면처Si층후도위0.5ML화1ML대이질결대계적조절,득도최대조절량위0.2eV;통과C-V법연구료이질결적GaAs층재불동온도하생장대0.5ML Si협층적영향,득도Si협층적공간분포수GaAs층생장온도적승고이확산증강적온도효응,통과심능급순태보(DLTS)연구료재상술불동온도하생장적GaAs층적정체질량.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문