固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2003年
1期
42-44,50
,共4页
陈堂胜%杨立杰%周焕文%李拂晓%陈效建
陳堂勝%楊立傑%週煥文%李拂曉%陳效建
진당성%양립걸%주환문%리불효%진효건
内匹配%大功率%赝配高电子迁移率晶体管
內匹配%大功率%贗配高電子遷移率晶體管
내필배%대공솔%안배고전자천이솔정체관
报告了研制的9.6 mm栅宽双δ-掺杂功率PHEMT,在fo＝11.2 GHz、Vds＝8.5 V时该器件输出功率37.28 dBm,功率增益9.5 dB,功率附加效率44.7%,在Vds＝5～9 V的范围内,该器件的功率附加效率均大于42%,两芯片合成,在10.5～11.3 GHz范围内,输出功率大于39.92 dBm,最大功率达到40.37 dBm,功率增益大于9.9 dB,典型的功率附加效率40%.
報告瞭研製的9.6 mm柵寬雙δ-摻雜功率PHEMT,在fo＝11.2 GHz、Vds＝8.5 V時該器件輸齣功率37.28 dBm,功率增益9.5 dB,功率附加效率44.7%,在Vds＝5～9 V的範圍內,該器件的功率附加效率均大于42%,兩芯片閤成,在10.5～11.3 GHz範圍內,輸齣功率大于39.92 dBm,最大功率達到40.37 dBm,功率增益大于9.9 dB,典型的功率附加效率40%.
보고료연제적9.6 mm책관쌍δ-참잡공솔PHEMT,재fo＝11.2 GHz、Vds＝8.5 V시해기건수출공솔37.28 dBm,공솔증익9.5 dB,공솔부가효솔44.7%,재Vds＝5～9 V적범위내,해기건적공솔부가효솔균대우42%,량심편합성,재10.5～11.3 GHz범위내,수출공솔대우39.92 dBm,최대공솔체도40.37 dBm,공솔증익대우9.9 dB,전형적공솔부가효솔40%.
