红外与毫米波学报
紅外與毫米波學報
홍외여호미파학보
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
2002年
z1期
69-75
,共7页
陈源%冉广照%戴伦%袁放成%秦国刚%马振昌%宗婉华%吴正龙
陳源%冉廣照%戴倫%袁放成%秦國剛%馬振昌%宗婉華%吳正龍
진원%염엄조%대륜%원방성%진국강%마진창%종완화%오정룡
Er3+%氧化硅%纳米硅%电致发光
Er3+%氧化硅%納米硅%電緻髮光
Er3+%양화규%납미규%전치발광
用磁控溅射法在n+-Si衬底上淀积掺铒的富硅氧化硅(SiO2∶Si∶Er)薄膜,并制备了Au/SiO2∶Si∶Er/n+-Si发光二极管,观测到这种发光二极管的1.54μm电致发光强度是在掺铒二氧化硅薄膜上以同样方法制备的Au/SiO2∶Er/n+-Si发光二极管的8倍.在n+-Si衬底上淀积了纳米(SiO2∶Er/Si/SiO2∶Er)三明治结构,其硅层厚度以0.2 nm为间隔从1.0nm变化到4.0nm.在室温下观察到了Au/纳米(SiO2∶Er/Si/SiO2∶Er)/n+-Si发光二极管的电致发光,其电致发光谱可分解成峰位和半高宽都固定的3个高斯峰,峰位分别为0.757eV(1.64μm)、0.806eV(1.54μm)和0.860eV(1.44μm),半高宽分别为0.052、0.045和0.055eV,其中1.54μm峰来源于Er3+发光.当硅层厚度为1.6nm时,3个峰的强度都达到最大,分别是没有硅层的Au/SiO2∶Er/n+-Si发光二极管相应3个峰的22、7.9和6.7倍.
用磁控濺射法在n+-Si襯底上澱積摻鉺的富硅氧化硅(SiO2∶Si∶Er)薄膜,併製備瞭Au/SiO2∶Si∶Er/n+-Si髮光二極管,觀測到這種髮光二極管的1.54μm電緻髮光彊度是在摻鉺二氧化硅薄膜上以同樣方法製備的Au/SiO2∶Er/n+-Si髮光二極管的8倍.在n+-Si襯底上澱積瞭納米(SiO2∶Er/Si/SiO2∶Er)三明治結構,其硅層厚度以0.2 nm為間隔從1.0nm變化到4.0nm.在室溫下觀察到瞭Au/納米(SiO2∶Er/Si/SiO2∶Er)/n+-Si髮光二極管的電緻髮光,其電緻髮光譜可分解成峰位和半高寬都固定的3箇高斯峰,峰位分彆為0.757eV(1.64μm)、0.806eV(1.54μm)和0.860eV(1.44μm),半高寬分彆為0.052、0.045和0.055eV,其中1.54μm峰來源于Er3+髮光.噹硅層厚度為1.6nm時,3箇峰的彊度都達到最大,分彆是沒有硅層的Au/SiO2∶Er/n+-Si髮光二極管相應3箇峰的22、7.9和6.7倍.
용자공천사법재n+-Si츤저상정적참이적부규양화규(SiO2∶Si∶Er)박막,병제비료Au/SiO2∶Si∶Er/n+-Si발광이겁관,관측도저충발광이겁관적1.54μm전치발광강도시재참이이양화규박막상이동양방법제비적Au/SiO2∶Er/n+-Si발광이겁관적8배.재n+-Si츤저상정적료납미(SiO2∶Er/Si/SiO2∶Er)삼명치결구,기규층후도이0.2 nm위간격종1.0nm변화도4.0nm.재실온하관찰도료Au/납미(SiO2∶Er/Si/SiO2∶Er)/n+-Si발광이겁관적전치발광,기전치발광보가분해성봉위화반고관도고정적3개고사봉,봉위분별위0.757eV(1.64μm)、0.806eV(1.54μm)화0.860eV(1.44μm),반고관분별위0.052、0.045화0.055eV,기중1.54μm봉래원우Er3+발광.당규층후도위1.6nm시,3개봉적강도도체도최대,분별시몰유규층적Au/SiO2∶Er/n+-Si발광이겁관상응3개봉적22、7.9화6.7배.
