真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2002年
6期
403-407
,共5页
沈大可%Sou.I.K%韩高荣%杜丕一%阙端林
瀋大可%Sou.I.K%韓高榮%杜丕一%闕耑林
침대가%Sou.I.K%한고영%두비일%궐단림
分子束外延%紫外液晶光阀%ZnSxSe1-x光敏层%ITO导电玻璃%光电特性
分子束外延%紫外液晶光閥%ZnSxSe1-x光敏層%ITO導電玻璃%光電特性
분자속외연%자외액정광벌%ZnSxSe1-x광민층%ITO도전파리%광전특성
描述了ZnSxSe1-x光盲紫外液晶光阀的结构和工作原理,并从器件的电学模型出发,着重讨论了整体器件对ZnSxSe1-x光敏层的特殊要求.采用分子束外延技术在ITO导电玻璃上制备了具有(111)面定向生长结构的ZnSxSe1-x多晶薄膜,通过控制反应时的生长参数,制备出了符合器件设计要求的光敏层薄膜.室温下,该薄膜的紫外/可见光响应对比度大于103;响应波长截止边可通过控制薄膜中的Se组分,在(360～410)nm范围内连续可调;薄膜的暗电阻率在(4.32 × 109～2.03×1011)Ω@m之间,并随着晶粒的增大而减小;在液晶光阀工作的低频段(<200Hz),其光/暗阻抗比在0.22～0.36之间.
描述瞭ZnSxSe1-x光盲紫外液晶光閥的結構和工作原理,併從器件的電學模型齣髮,著重討論瞭整體器件對ZnSxSe1-x光敏層的特殊要求.採用分子束外延技術在ITO導電玻璃上製備瞭具有(111)麵定嚮生長結構的ZnSxSe1-x多晶薄膜,通過控製反應時的生長參數,製備齣瞭符閤器件設計要求的光敏層薄膜.室溫下,該薄膜的紫外/可見光響應對比度大于103;響應波長截止邊可通過控製薄膜中的Se組分,在(360～410)nm範圍內連續可調;薄膜的暗電阻率在(4.32 × 109～2.03×1011)Ω@m之間,併隨著晶粒的增大而減小;在液晶光閥工作的低頻段(<200Hz),其光/暗阻抗比在0.22～0.36之間.
묘술료ZnSxSe1-x광맹자외액정광벌적결구화공작원리,병종기건적전학모형출발,착중토론료정체기건대ZnSxSe1-x광민층적특수요구.채용분자속외연기술재ITO도전파리상제비료구유(111)면정향생장결구적ZnSxSe1-x다정박막,통과공제반응시적생장삼수,제비출료부합기건설계요구적광민층박막.실온하,해박막적자외/가견광향응대비도대우103;향응파장절지변가통과공제박막중적Se조분,재(360～410)nm범위내련속가조;박막적암전조솔재(4.32 × 109～2.03×1011)Ω@m지간,병수착정립적증대이감소;재액정광벌공작적저빈단(<200Hz),기광/암조항비재0.22～0.36지간.
