微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2002年
3期
202-205
,共4页
集成电路%硅圆片%芯片制作%光刻
集成電路%硅圓片%芯片製作%光刻
집성전로%규원편%심편제작%광각
简要论述了集成电路的发展和特大规模集成电路中部份硅生产工艺技术近几年的发展趋势.特大规模集成电路仍然朝着较大直径的硅单晶片和较小的特征尺寸方向发展.当特大规模集成电路特征尺寸在0.1 μm以下时,角度限制散射投影电子束光刻和极紫外线光刻以及离子投影光刻等光刻技术是较佳候选者.离子注入掺杂技术将向高能量与低能量离子注入领域发展.淀积可靠耐用的TiN薄膜阻挡层是下一步溅射工艺的发展目标.集成电路的生产将向自动化方向发展.
簡要論述瞭集成電路的髮展和特大規模集成電路中部份硅生產工藝技術近幾年的髮展趨勢.特大規模集成電路仍然朝著較大直徑的硅單晶片和較小的特徵呎吋方嚮髮展.噹特大規模集成電路特徵呎吋在0.1 μm以下時,角度限製散射投影電子束光刻和極紫外線光刻以及離子投影光刻等光刻技術是較佳候選者.離子註入摻雜技術將嚮高能量與低能量離子註入領域髮展.澱積可靠耐用的TiN薄膜阻擋層是下一步濺射工藝的髮展目標.集成電路的生產將嚮自動化方嚮髮展.
간요논술료집성전로적발전화특대규모집성전로중부빈규생산공예기술근궤년적발전추세.특대규모집성전로잉연조착교대직경적규단정편화교소적특정척촌방향발전.당특대규모집성전로특정척촌재0.1 μm이하시,각도한제산사투영전자속광각화겁자외선광각이급리자투영광각등광각기술시교가후선자.리자주입참잡기술장향고능량여저능량리자주입영역발전.정적가고내용적TiN박막조당층시하일보천사공예적발전목표.집성전로적생산장향자동화방향발전.
