低剂量率下MOS器件的辐照效应
저제량솔하MOS기건적복조효응
Radiation Effects of MOS Devices at Low Dose Rate
  • 万方数据
    微电子学 미전자학
    MICROELECTRONICS
    2002年 1期 29-33 ,共5页

    刘传洋%张廷庆%刘家璐%王剑屏%黄智%徐娜军%何宝平%彭宏论%姚育娟%王宝成

    류전양%장정경%류가로%왕검병%황지%서나군%하보평%팽굉론%요육연%왕보성

    MOS器件%辐照效应%阈值电压漂移%低剂量率%界面态 MOS器件%輻照效應%閾值電壓漂移%低劑量率%界麵態
    MOS기건%복조효응%역치전압표이%저제량솔%계면태
    对MOS器件在低剂量率γ射线辐射条件下的偏置效应进行了研究.对不同偏置及退火条件下MOS器件辐照后的阈值电压漂移进行了对比.结果表明,偏置在MOS器件栅氧化层内产生电场,增强了辐照产生电子-空穴对的分离,同时,影响了正电荷(包括空穴和氢离子)的运动状态;此外,偏置对退火同样有促进作用.
    대MOS기건재저제량솔γ사선복사조건하적편치효응진행료연구.대불동편치급퇴화조건하MOS기건복조후적역치전압표이진행료대비.결과표명,편치재MOS기건책양화층내산생전장,증강료복조산생전자-공혈대적분리,동시,영향료정전하(포괄공혈화경리자)적운동상태;차외,편치대퇴화동양유촉진작용.
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