半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2001年
12期
1581-1585
,共5页
双栅MOSFET%环栅MOSFET%电荷分享%阈值电压下降
雙柵MOSFET%環柵MOSFET%電荷分享%閾值電壓下降
쌍책MOSFET%배책MOSFET%전하분향%역치전압하강
基于电荷分享原理,推导了双栅和环栅MOSFET短沟效应引起的阈值电压下降,分析了衬底掺杂浓度、栅氧化层厚度及硅膜厚度等因素对阈值电压下降的影响,并用数值模拟验证了理论结果.这些研究结果对进一步开展纳米CMOS新器件的研究有很好的参考价值和实际意义.
基于電荷分享原理,推導瞭雙柵和環柵MOSFET短溝效應引起的閾值電壓下降,分析瞭襯底摻雜濃度、柵氧化層厚度及硅膜厚度等因素對閾值電壓下降的影響,併用數值模擬驗證瞭理論結果.這些研究結果對進一步開展納米CMOS新器件的研究有很好的參攷價值和實際意義.
기우전하분향원리,추도료쌍책화배책MOSFET단구효응인기적역치전압하강,분석료츤저참잡농도、책양화층후도급규막후도등인소대역치전압하강적영향,병용수치모의험증료이론결과.저사연구결과대진일보개전납미CMOS신기건적연구유흔호적삼고개치화실제의의.
