半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2001年
7期
888-891
,共4页
SiC%不完全电离%MOSFET%电特性
SiC%不完全電離%MOSFET%電特性
SiC%불완전전리%MOSFET%전특성
在分析SiC中杂质部分离化时,考虑了Frenkel-Pool效应,通过求解SiC MOS表面空间电荷区中的一维Poisson方程,提出了一个新的SiC MOSFET反型层薄层电荷(charge-sheet)数值模型.对SiC中杂质不完全离化的研究表明,杂质原子较大的离化能、高的掺杂浓度以及低温会使不完全离化的影响增强,对于SiC MOSFET,杂质不完全离化的影响主要在亚阈区.
在分析SiC中雜質部分離化時,攷慮瞭Frenkel-Pool效應,通過求解SiC MOS錶麵空間電荷區中的一維Poisson方程,提齣瞭一箇新的SiC MOSFET反型層薄層電荷(charge-sheet)數值模型.對SiC中雜質不完全離化的研究錶明,雜質原子較大的離化能、高的摻雜濃度以及低溫會使不完全離化的影響增彊,對于SiC MOSFET,雜質不完全離化的影響主要在亞閾區.
재분석SiC중잡질부분리화시,고필료Frenkel-Pool효응,통과구해SiC MOS표면공간전하구중적일유Poisson방정,제출료일개신적SiC MOSFET반형층박층전하(charge-sheet)수치모형.대SiC중잡질불완전리화적연구표명,잡질원자교대적리화능、고적참잡농도이급저온회사불완전리화적영향증강,대우SiC MOSFET,잡질불완전리화적영향주요재아역구.
