半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2001年
9期
1143-1146
,共4页
毛凌锋%谭长华%许铭真%卫建林%穆甫臣%张贺秋
毛凌鋒%譚長華%許銘真%衛建林%穆甫臣%張賀鞦
모릉봉%담장화%허명진%위건림%목보신%장하추
粗糙度%直接隧穿%场效应晶体管
粗糙度%直接隧穿%場效應晶體管
조조도%직접수천%장효응정체관
研究了粗糙界面对电子隧穿超薄栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管的氧化层的影响.对于栅厚为3nm的超薄栅MOS结构的界面用高斯粗糙面进行模拟来获取界面粗糙度对直接隧穿电流的影响,数值模拟的结果表明:界面粗糙度对电子的直接隧穿有较大的影响,且直接隧穿电流随界面的粗糙度增加而增大,界面粗糙度对电子的直接隧穿的影响随着外加电压的增加而减小.
研究瞭粗糙界麵對電子隧穿超薄柵金屬-氧化物-半導體場效應晶體管的氧化層的影響.對于柵厚為3nm的超薄柵MOS結構的界麵用高斯粗糙麵進行模擬來穫取界麵粗糙度對直接隧穿電流的影響,數值模擬的結果錶明:界麵粗糙度對電子的直接隧穿有較大的影響,且直接隧穿電流隨界麵的粗糙度增加而增大,界麵粗糙度對電子的直接隧穿的影響隨著外加電壓的增加而減小.
연구료조조계면대전자수천초박책금속-양화물-반도체장효응정체관적양화층적영향.대우책후위3nm적초박책MOS결구적계면용고사조조면진행모의래획취계면조조도대직접수천전류적영향,수치모의적결과표명:계면조조도대전자적직접수천유교대적영향,차직접수천전류수계면적조조도증가이증대,계면조조도대전자적직접수천적영향수착외가전압적증가이감소.
