液晶与显示
液晶與顯示
액정여현시
CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS
2003年
3期
201-204
,共4页
PECVD法%多晶硅薄膜%低温制备
PECVD法%多晶硅薄膜%低溫製備
PECVD법%다정규박막%저온제비
在玻璃衬底上采用常规的PECVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径>100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜.选用的反应气体为SiF4和H2混合气体.加入少量的SiH4后,沉积速率提高了近10倍.分析认为,在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFm Hn(m+n≤3),而不可能是SiHn(n≤3)基团.
在玻璃襯底上採用常規的PECVD法在低溫(≤400℃)條件下製得大顆粒(直徑>100nm)、擇優取嚮(220)明顯的多晶硅薄膜.選用的反應氣體為SiF4和H2混閤氣體.加入少量的SiH4後,沉積速率提高瞭近10倍.分析認為,在低溫時促使多晶硅結構形成的反應基元應是SiFm Hn(m+n≤3),而不可能是SiHn(n≤3)基糰.
재파리츤저상채용상규적PECVD법재저온(≤400℃)조건하제득대과립(직경>100nm)、택우취향(220)명현적다정규박막.선용적반응기체위SiF4화H2혼합기체.가입소량적SiH4후,침적속솔제고료근10배.분석인위,재저온시촉사다정규결구형성적반응기원응시SiFm Hn(m+n≤3),이불가능시SiHn(n≤3)기단.
