半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
7期
1475-1479
,共5页
王昆黍%桑文斌%闵嘉华%腾建勇%张奇%夏军%钱永彪
王昆黍%桑文斌%閔嘉華%騰建勇%張奇%夏軍%錢永彪
왕곤서%상문빈%민가화%등건용%장기%하군%전영표
CdZnTe晶体%表面钝化%漏电流
CdZnTe晶體%錶麵鈍化%漏電流
CdZnTe정체%표면둔화%루전류
研究了一种新的钝化CdZnTe(CZT)器件表面的工艺,即先采用KOH-KCl溶液对CZT表面进行处理,再用NH4F/H2O2溶液对其进行表面氧化的二步法钝化工艺.并借助俄歇电子能谱(AES)、微电流测试仪等手段对其表面钝化层的质量进行了鉴别,同时与KOH-KCl和NH4F/H2O2两种工艺进行了比较.AES能谱分析表明,采用二步法工艺钝化,既可获得化学计量比较好的CZT表面,又可在表面形成一层起保护作用的氧化层.I-Ⅴ特性曲线显示,两步法钝化后CZT器件的漏电流与KOH-KCl和NH4F/H2O2钝化相比都有一定程度的下降.说明文中提出的新工艺在CZT器件制备方面具有良好的应用前景.
研究瞭一種新的鈍化CdZnTe(CZT)器件錶麵的工藝,即先採用KOH-KCl溶液對CZT錶麵進行處理,再用NH4F/H2O2溶液對其進行錶麵氧化的二步法鈍化工藝.併藉助俄歇電子能譜(AES)、微電流測試儀等手段對其錶麵鈍化層的質量進行瞭鑒彆,同時與KOH-KCl和NH4F/H2O2兩種工藝進行瞭比較.AES能譜分析錶明,採用二步法工藝鈍化,既可穫得化學計量比較好的CZT錶麵,又可在錶麵形成一層起保護作用的氧化層.I-Ⅴ特性麯線顯示,兩步法鈍化後CZT器件的漏電流與KOH-KCl和NH4F/H2O2鈍化相比都有一定程度的下降.說明文中提齣的新工藝在CZT器件製備方麵具有良好的應用前景.
연구료일충신적둔화CdZnTe(CZT)기건표면적공예,즉선채용KOH-KCl용액대CZT표면진행처리,재용NH4F/H2O2용액대기진행표면양화적이보법둔화공예.병차조아헐전자능보(AES)、미전류측시의등수단대기표면둔화층적질량진행료감별,동시여KOH-KCl화NH4F/H2O2량충공예진행료비교.AES능보분석표명,채용이보법공예둔화,기가획득화학계량비교호적CZT표면,우가재표면형성일층기보호작용적양화층.I-Ⅴ특성곡선현시,량보법둔화후CZT기건적루전류여KOH-KCl화NH4F/H2O2둔화상비도유일정정도적하강.설명문중제출적신공예재CZT기건제비방면구유량호적응용전경.
