半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
11期
1966-1969
,共4页
武慧珍%茹国平%张永刚%金成国%水野文二%蒋玉龙%屈新萍%李炳宗
武慧珍%茹國平%張永剛%金成國%水野文二%蔣玉龍%屈新萍%李炳宗
무혜진%여국평%장영강%금성국%수야문이%장옥룡%굴신평%리병종
电化学电容-电压%超浅结%杂质浓度
電化學電容-電壓%超淺結%雜質濃度
전화학전용-전압%초천결%잡질농도
采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p+n结进行了电学表征.通过对超浅p+n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p+层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻掺杂n型衬底杂质浓度受上层高浓度掺杂影响很大.ECV测试具有良好的可控性与重复性.对不同退火方法等离子体掺杂形成的超浅结样品的ECV系列测试结果表明,ECV能可靠地表征结深达10nm,杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达纳米量级,它有望在亚65nm节点CMOS器件的超浅结表征中获得应用.
採用電化學電容-電壓(ECV)法對等離子體摻雜製備的Si超淺p+n結進行瞭電學錶徵.通過對超淺p+n結樣品ECV測試和二次離子質譜(SIMS)測試及比較,髮現用ECV測試穫得的p+層雜質濃度分佈及結深與SIMS測試結果具有良好的一緻性,但ECV測試下層輕摻雜n型襯底雜質濃度受上層高濃度摻雜影響很大.ECV測試具有良好的可控性與重複性.對不同退火方法等離子體摻雜形成的超淺結樣品的ECV繫列測試結果錶明,ECV能可靠地錶徵結深達10nm,雜質濃度達1021cm-3量級的Si超淺結樣品,其深度分辨率可達納米量級,它有望在亞65nm節點CMOS器件的超淺結錶徵中穫得應用.
채용전화학전용-전압(ECV)법대등리자체참잡제비적Si초천p+n결진행료전학표정.통과대초천p+n결양품ECV측시화이차리자질보(SIMS)측시급비교,발현용ECV측시획득적p+층잡질농도분포급결심여SIMS측시결과구유량호적일치성,단ECV측시하층경참잡n형츤저잡질농도수상층고농도참잡영향흔대.ECV측시구유량호적가공성여중복성.대불동퇴화방법등리자체참잡형성적초천결양품적ECV계렬측시결과표명,ECV능가고지표정결심체10nm,잡질농도체1021cm-3량급적Si초천결양품,기심도분변솔가체납미량급,타유망재아65nm절점CMOS기건적초천결표정중획득응용.
