半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
1期
96-99
,共4页
张群芳%朱美芳%刘丰珍%周玉琴
張群芳%硃美芳%劉豐珍%週玉琴
장군방%주미방%류봉진%주옥금
纳米晶硅%异质结%太阳能电池%热丝化学气相沉积(HWCVD)
納米晶硅%異質結%太暘能電池%熱絲化學氣相沉積(HWCVD)
납미정규%이질결%태양능전지%열사화학기상침적(HWCVD)
采用热丝化学气相沉积技术(HWCVD),系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层)的晶化度以及晶体硅表面氢处理时间对nc-Si∶H/c-Si异质结太阳能电池性能的影响,通过C-V和C-F测试分析了不同氢处理时间和本征缓冲层氢稀释度对nc-Si∶H/c-Si界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化度的nc-Si∶H/c-Si异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p型CZ晶体硅衬底上制备出转换效率为17.27%的n-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/p-c-Si异质结电池.
採用熱絲化學氣相沉積技術(HWCVD),繫統地研究瞭納米晶硅層(尤其是本徵緩遲層)的晶化度以及晶體硅錶麵氫處理時間對nc-Si∶H/c-Si異質結太暘能電池性能的影響,通過C-V和C-F測試分析瞭不同氫處理時間和本徵緩遲層氫稀釋度對nc-Si∶H/c-Si界麵缺陷態的影響,運用高分辨透射電鏡觀察瞭不同的本徵緩遲層晶化度的nc-Si∶H/c-Si異質結太暘能電池的界麵,優化工藝參數,在p型CZ晶體硅襯底上製備齣轉換效率為17.27%的n-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/p-c-Si異質結電池.
채용열사화학기상침적기술(HWCVD),계통지연구료납미정규층(우기시본정완충층)적정화도이급정체규표면경처리시간대nc-Si∶H/c-Si이질결태양능전지성능적영향,통과C-V화C-F측시분석료불동경처리시간화본정완충층경희석도대nc-Si∶H/c-Si계면결함태적영향,운용고분변투사전경관찰료불동적본정완충층정화도적nc-Si∶H/c-Si이질결태양능전지적계면,우화공예삼수,재p형CZ정체규츤저상제비출전환효솔위17.27%적n-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/p-c-Si이질결전지.
