固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2009年
3期
356-359
,共4页
全球定位系统接收机%互补-金属氧化物-半导体%低噪声放大器%噪声系数
全毬定位繫統接收機%互補-金屬氧化物-半導體%低譟聲放大器%譟聲繫數
전구정위계통접수궤%호보-금속양화물-반도체%저조성방대기%조성계수
采用0.18 μm 1.8 V mixed CMOS工艺设计并实现了一种应用于GPS接收机的CMOS低噪声放大器,采用片内螺旋电感实现输入匹配和单片集成.测试结果表明在1.575 GHz时,工作电流8 mA,增益20 dB,噪声系数小于1.7 dB,IIP3为-10 dBm.
採用0.18 μm 1.8 V mixed CMOS工藝設計併實現瞭一種應用于GPS接收機的CMOS低譟聲放大器,採用片內螺鏇電感實現輸入匹配和單片集成.測試結果錶明在1.575 GHz時,工作電流8 mA,增益20 dB,譟聲繫數小于1.7 dB,IIP3為-10 dBm.
채용0.18 μm 1.8 V mixed CMOS공예설계병실현료일충응용우GPS접수궤적CMOS저조성방대기,채용편내라선전감실현수입필배화단편집성.측시결과표명재1.575 GHz시,공작전류8 mA,증익20 dB,조성계수소우1.7 dB,IIP3위-10 dBm.
