浮栅存储器的单粒子辐射效应研究进展
부책존저기적단입자복사효응연구진전
Single event effect in floating gate memories
  • 万方数据
    功能材料与器件学报 공능재료여기건학보
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
    2010年 5期 407-412 ,共6页

    刘张李%邹世昌%张正选%毕大炜%胡志远%俞文杰%陈明%王茹

    류장리%추세창%장정선%필대위%호지원%유문걸%진명%왕여

    控制电路%存储单元%单粒子效应%电荷损失 控製電路%存儲單元%單粒子效應%電荷損失
    공제전로%존저단원%단입자효응%전하손실
    综述了浮栅存储器的单粒子效应国外研究进展,对浮栅存储器控制电路及存储单元的单粒子效应进行详细分析和讨论.指出控制电路是浮栅存储器单粒子效应的关键部件以及重离子轰击使浮栅存储器数据保持特性退化;阐述了浮栅存储单元辐射后可能的电荷损失机制.最后指出纳米晶浮栅存储器具有好的抗辐射能力.
    종술료부책존저기적단입자효응국외연구진전,대부책존저기공제전로급존저단원적단입자효응진행상세분석화토론.지출공제전로시부책존저기단입자효응적관건부건이급중리자굉격사부책존저기수거보지특성퇴화;천술료부책존저단원복사후가능적전하손실궤제.최후지출납미정부책존저기구유호적항복사능력.
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