化学通报（印刷版）
化學通報（印刷版）
화학통보（인쇄판）
CHEMISTRY
2010年
11期
1007-1011
,共5页
付珍%魏小兰%邹智毅%陈德海%方军
付珍%魏小蘭%鄒智毅%陳德海%方軍
부진%위소란%추지의%진덕해%방군
质子导电性%介孔SiO2%聚乙烯吡咯烷酮%模板剂
質子導電性%介孔SiO2%聚乙烯吡咯烷酮%模闆劑
질자도전성%개공SiO2%취을희필각완동%모판제
为提高SiO2的质子传导能力,在硫酸介质中,以碱性的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为模板剂,用溶胶-凝胶法合成了高导电性的介孔SiO2(m-S-SiO2).N2-吸附脱附结果显示,m-S-SiO2的BET比表面积为588m2/g,BJH平均孔径为6.0nm.交流阻抗测定结果显示,25℃和100%相对湿度下,水洗除去游离酸后m-S-SiO2的质子电导率高达5.9×10-2S/cm,与Nafion膜的电导率相当,比相同条件下用中性EO20PO70EO20作模板制备的介孔SiO2的高出1个数量级.在相同质子浓度下,用磷酸、盐酸和硝酸代替硫酸,以PVP为模板合成的介孔m-P-SiO2,m-Cl-SiO2和m-N-SiO2样品的电导率分别为4.3×10-2、9.9×10-4和3.0×10-4S/cm.
為提高SiO2的質子傳導能力,在硫痠介質中,以堿性的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)為模闆劑,用溶膠-凝膠法閤成瞭高導電性的介孔SiO2(m-S-SiO2).N2-吸附脫附結果顯示,m-S-SiO2的BET比錶麵積為588m2/g,BJH平均孔徑為6.0nm.交流阻抗測定結果顯示,25℃和100%相對濕度下,水洗除去遊離痠後m-S-SiO2的質子電導率高達5.9×10-2S/cm,與Nafion膜的電導率相噹,比相同條件下用中性EO20PO70EO20作模闆製備的介孔SiO2的高齣1箇數量級.在相同質子濃度下,用燐痠、鹽痠和硝痠代替硫痠,以PVP為模闆閤成的介孔m-P-SiO2,m-Cl-SiO2和m-N-SiO2樣品的電導率分彆為4.3×10-2、9.9×10-4和3.0×10-4S/cm.
위제고SiO2적질자전도능력,재류산개질중,이감성적취을희필각완동(PVP)위모판제,용용효-응효법합성료고도전성적개공SiO2(m-S-SiO2).N2-흡부탈부결과현시,m-S-SiO2적BET비표면적위588m2/g,BJH평균공경위6.0nm.교류조항측정결과현시,25℃화100%상대습도하,수세제거유리산후m-S-SiO2적질자전도솔고체5.9×10-2S/cm,여Nafion막적전도솔상당,비상동조건하용중성EO20PO70EO20작모판제비적개공SiO2적고출1개수량급.재상동질자농도하,용린산、염산화초산대체류산,이PVP위모판합성적개공m-P-SiO2,m-Cl-SiO2화m-N-SiO2양품적전도솔분별위4.3×10-2、9.9×10-4화3.0×10-4S/cm.
