半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
6期
662-667
,共6页
黄笑容%杨德仁%沈益军%王飞尧%马向阳%李立本%阙端麟
黃笑容%楊德仁%瀋益軍%王飛堯%馬嚮暘%李立本%闕耑麟
황소용%양덕인%침익군%왕비요%마향양%리립본%궐단린
重掺杂直拉硅%氧沉淀%缺陷
重摻雜直拉硅%氧沉澱%缺陷
중참잡직랍규%양침정%결함
研究了重掺杂直拉硅单晶中掺杂元素硼、磷、砷、锑对氧沉淀及其诱生二次缺陷行为的影响.实验结果表明:重掺p型(硼)硅片氧沉淀被促进,氧沉淀密度高但无诱生二次缺陷;重掺n型(磷、砷、锑)硅片氧沉淀受抑制,氧沉淀密度低却诱生出层错;不同掺杂元素及浓度对重掺n型硅片氧沉淀抑制程度不同,并对氧沉淀诱生层错的形态产生影响.讨论了重掺硅单晶中掺杂元素影响氧沉淀及其诱生二次缺陷的机理,并利用掺杂元素-本征点缺陷作用模型和原子半径效应模型对实验结果进行了解释.
研究瞭重摻雜直拉硅單晶中摻雜元素硼、燐、砷、銻對氧沉澱及其誘生二次缺陷行為的影響.實驗結果錶明:重摻p型(硼)硅片氧沉澱被促進,氧沉澱密度高但無誘生二次缺陷;重摻n型(燐、砷、銻)硅片氧沉澱受抑製,氧沉澱密度低卻誘生齣層錯;不同摻雜元素及濃度對重摻n型硅片氧沉澱抑製程度不同,併對氧沉澱誘生層錯的形態產生影響.討論瞭重摻硅單晶中摻雜元素影響氧沉澱及其誘生二次缺陷的機理,併利用摻雜元素-本徵點缺陷作用模型和原子半徑效應模型對實驗結果進行瞭解釋.
연구료중참잡직랍규단정중참잡원소붕、린、신、제대양침정급기유생이차결함행위적영향.실험결과표명:중참p형(붕)규편양침정피촉진,양침정밀도고단무유생이차결함;중참n형(린、신、제)규편양침정수억제,양침정밀도저각유생출층착;불동참잡원소급농도대중참n형규편양침정억제정도불동,병대양침정유생층착적형태산생영향.토론료중참규단정중참잡원소영향양침정급기유생이차결함적궤리,병이용참잡원소-본정점결함작용모형화원자반경효응모형대실험결과진행료해석.
