江西科学
江西科學
강서과학
JIANGXI SCIENCE
2005年
4期
363-365,382
,共4页
王水凤%姜乐%戴丽丽%王震东%元美玲
王水鳳%薑樂%戴麗麗%王震東%元美玲
왕수봉%강악%대려려%왕진동%원미령
多孔硅%光致发光%HNO3
多孔硅%光緻髮光%HNO3
다공규%광치발광%HNO3
在实验室条件下对P型单晶硅片进行阳极电化学腐蚀制成多孔硅(Porous Silicon)样片,同时用适当配比的HNO3对多孔硅进行处理.比较了HNO3作用前后样片的光致发光(PL)谱,结果发现用HNO3处理的多孔硅的发光效率有显著提高.用XPS和SEM对样片测试的结果表明:酸处理后样片表面形成Si-O结构,其表面平均孔径增大,而且分布更均匀.
在實驗室條件下對P型單晶硅片進行暘極電化學腐蝕製成多孔硅(Porous Silicon)樣片,同時用適噹配比的HNO3對多孔硅進行處理.比較瞭HNO3作用前後樣片的光緻髮光(PL)譜,結果髮現用HNO3處理的多孔硅的髮光效率有顯著提高.用XPS和SEM對樣片測試的結果錶明:痠處理後樣片錶麵形成Si-O結構,其錶麵平均孔徑增大,而且分佈更均勻.
재실험실조건하대P형단정규편진행양겁전화학부식제성다공규(Porous Silicon)양편,동시용괄당배비적HNO3대다공규진행처리.비교료HNO3작용전후양편적광치발광(PL)보,결과발현용HNO3처리적다공규적발광효솔유현저제고.용XPS화SEM대양편측시적결과표명:산처리후양편표면형성Si-O결구,기표면평균공경증대,이차분포경균균.
