低覆盖度的Au/GaN(0001)界面的同步辐射研究
저복개도적Au/GaN(0001)계면적동보복사연구
Synchrotron radiation study on Au/GaN(0001) interface with Iow coverage
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2005年 8期 3793-3798 ,共6页

    邹崇文%孙柏%王国栋%张文华%徐彭寿%潘海斌%徐法强%尹志军%邱凯

    추숭문%손백%왕국동%장문화%서팽수%반해빈%서법강%윤지군%구개

    同步辐射%光电子能谱%Au/GaN欧姆接触%态密度 同步輻射%光電子能譜%Au/GaN歐姆接觸%態密度
    동보복사%광전자능보%Au/GaN구모접촉%태밀도
    利用同步辐射光电子能谱研究了低覆盖度Au在GaN(0001)表面的初始生长模式,肖特基势垒高度以及界面的电子结构.结果表明,Au沉积初始阶段有界面的化学反应,随后呈三维岛状生长.由光电子能谱实验确定的肖特基势垒高度为1.4 eV.通过对界面价带谱和Au 4f芯能级谱的分析,确定了界面化学反应的存在.利用线性缀加平面波方法计算了GaN(0001)和Au的价带态密度并分析了化学反应产生的机理,认为在初始阶段界面形成了Au-Ga合金.
    이용동보복사광전자능보연구료저복개도Au재GaN(0001)표면적초시생장모식,초특기세루고도이급계면적전자결구.결과표명,Au침적초시계단유계면적화학반응,수후정삼유도상생장.유광전자능보실험학정적초특기세루고도위1.4 eV.통과대계면개대보화Au 4f심능급보적분석,학정료계면화학반응적존재.이용선성철가평면파방법계산료GaN(0001)화Au적개대태밀도병분석료화학반응산생적궤리,인위재초시계단계면형성료Au-Ga합금.
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