电子科技
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전자과기
IT AGE
2006年
5期
45-47,56
,共4页
压控振荡器%多标准%NMOS结构%互补结构%开关电容阵列
壓控振盪器%多標準%NMOS結構%互補結構%開關電容陣列
압공진탕기%다표준%NMOS결구%호보결구%개관전용진렬
采用ADS仿真分析的方法,对多标准兼容的宽带压控振荡器中广泛采用的NMOS结构和互补结构的性能差异进行了比较,分析了采用一种改进型的开关电容阵列后对多标准兼容的宽带压控振荡器的性能的提高.
採用ADS倣真分析的方法,對多標準兼容的寬帶壓控振盪器中廣汎採用的NMOS結構和互補結構的性能差異進行瞭比較,分析瞭採用一種改進型的開關電容陣列後對多標準兼容的寬帶壓控振盪器的性能的提高.
채용ADS방진분석적방법,대다표준겸용적관대압공진탕기중엄범채용적NMOS결구화호보결구적성능차이진행료비교,분석료채용일충개진형적개관전용진렬후대다표준겸용적관대압공진탕기적성능적제고.
