固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2008年
3期
460-464
,共5页
李幼真%周继承%陈海波%刘正
李幼真%週繼承%陳海波%劉正
리유진%주계승%진해파%류정
钽铝氮薄膜%热退火%表面形貌%阻挡特性
鐽鋁氮薄膜%熱退火%錶麵形貌%阻擋特性
단려담박막%열퇴화%표면형모%조당특성
采用磁控反应共溅射方法制备了纳米Ta-Al-N薄膜,并原位制备了Cu/Ta-Al-N薄膜,对薄膜进行了热处理.用四探针测试仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)以及台阶仪等研究了退火对薄膜结构及阻挡性能的影响.结果表明,Ta-Al-N薄膜具有优良的热稳定性.保持非晶态且能对Cu有效阻挡的温度可达800℃同时发现在900℃退火5 min后,薄膜开始晶化,在Cu/Ta-Al-N/Si界面处生成了Cu3Si等相,表明此时Ta-Al-N薄膜阻挡层开始失效.
採用磁控反應共濺射方法製備瞭納米Ta-Al-N薄膜,併原位製備瞭Cu/Ta-Al-N薄膜,對薄膜進行瞭熱處理.用四探針測試儀、X射線衍射儀(XRD)、掃描電鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)以及檯階儀等研究瞭退火對薄膜結構及阻擋性能的影響.結果錶明,Ta-Al-N薄膜具有優良的熱穩定性.保持非晶態且能對Cu有效阻擋的溫度可達800℃同時髮現在900℃退火5 min後,薄膜開始晶化,在Cu/Ta-Al-N/Si界麵處生成瞭Cu3Si等相,錶明此時Ta-Al-N薄膜阻擋層開始失效.
채용자공반응공천사방법제비료납미Ta-Al-N박막,병원위제비료Cu/Ta-Al-N박막,대박막진행료열처리.용사탐침측시의、X사선연사의(XRD)、소묘전경(SEM)、원자력현미경(AFM)이급태계의등연구료퇴화대박막결구급조당성능적영향.결과표명,Ta-Al-N박막구유우량적열은정성.보지비정태차능대Cu유효조당적온도가체800℃동시발현재900℃퇴화5 min후,박막개시정화,재Cu/Ta-Al-N/Si계면처생성료Cu3Si등상,표명차시Ta-Al-N박막조당층개시실효.
