XeF2对SiO2/Si的干法刻蚀
XeF2대SiO2/Si적간법각식
SiO2/Si dry etching with XeF2
  • 万方数据
    中国科学技术大学学报 중국과학기술대학학보
    JOURNAL OF UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
    2009年 6期 603-607 ,共5页

    尉伟%吴晓伟%吕凡%肖云峰%付绍军%裴元吉%韩正甫

    위위%오효위%려범%초운봉%부소군%배원길%한정보

    XeF2%硅刻蚀%各向同性干法刻蚀%光学微腔 XeF2%硅刻蝕%各嚮同性榦法刻蝕%光學微腔
    XeF2%규각식%각향동성간법각식%광학미강
    XeF2是一种可以在常温下与硅发生反应的气体,可用作对硅进行干法刻蚀的工作气体,其对硅刻蚀特性呈现各向同性.研制了一个使用脉冲法对二氧化硅/硅体系进行XeF2刻蚀的系统,刻蚀系统简单且操作容易.利用该系统成功地刻蚀出"蘑菇状"的SiO2/Si结构,得到的刻蚀选择比大于1000.
    XeF2시일충가이재상온하여규발생반응적기체,가용작대규진행간법각식적공작기체,기대규각식특성정현각향동성.연제료일개사용맥충법대이양화규/규체계진행XeF2각식적계통,각식계통간단차조작용역.이용해계통성공지각식출"마고상"적SiO2/Si결구,득도적각식선택비대우1000.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문