电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2004年
4期
581-584
,共4页
电致发光%电子束蒸发%Ga2O3∶Mn薄膜%晶体结构%荧光分光光度计
電緻髮光%電子束蒸髮%Ga2O3∶Mn薄膜%晶體結構%熒光分光光度計
전치발광%전자속증발%Ga2O3∶Mn박막%정체결구%형광분광광도계
采用电子束蒸发法在硅衬底或BaTiO3陶瓷基片上沉积了Ga2O3:Mn电致发光膜,并进行了不同温度热处理,制备了电致发光器件.用X射线衍射(XRD)分析了Ga2O3:Mn薄膜晶体结构;用荧光分光光度计测试了电致发光器件的发射光谱.研究了Ga2O3:Mn薄膜的晶体结构与其光谱特性之间的关系.实验结果表明,Ga2O3:Mn薄膜结晶度随热处理温度的提高而提高,且晶体结构和结晶取向也随之改变;经500 ℃热处理的Ga2O3:Mn薄膜电致发光器件发绿光,其光谱主峰分布在495～535 nm之间,且随驱动电压增高,谱峰出现蓝移现象.
採用電子束蒸髮法在硅襯底或BaTiO3陶瓷基片上沉積瞭Ga2O3:Mn電緻髮光膜,併進行瞭不同溫度熱處理,製備瞭電緻髮光器件.用X射線衍射(XRD)分析瞭Ga2O3:Mn薄膜晶體結構;用熒光分光光度計測試瞭電緻髮光器件的髮射光譜.研究瞭Ga2O3:Mn薄膜的晶體結構與其光譜特性之間的關繫.實驗結果錶明,Ga2O3:Mn薄膜結晶度隨熱處理溫度的提高而提高,且晶體結構和結晶取嚮也隨之改變;經500 ℃熱處理的Ga2O3:Mn薄膜電緻髮光器件髮綠光,其光譜主峰分佈在495～535 nm之間,且隨驅動電壓增高,譜峰齣現藍移現象.
채용전자속증발법재규츤저혹BaTiO3도자기편상침적료Ga2O3:Mn전치발광막,병진행료불동온도열처리,제비료전치발광기건.용X사선연사(XRD)분석료Ga2O3:Mn박막정체결구;용형광분광광도계측시료전치발광기건적발사광보.연구료Ga2O3:Mn박막적정체결구여기광보특성지간적관계.실험결과표명,Ga2O3:Mn박막결정도수열처리온도적제고이제고,차정체결구화결정취향야수지개변;경500 ℃열처리적Ga2O3:Mn박막전치발광기건발록광,기광보주봉분포재495～535 nm지간,차수구동전압증고,보봉출현람이현상.
