90 nm NMOS器件TDDB击穿特性研究
90 nm NMOS기건TDDB격천특성연구
Research on TDDB of 90 nm NMOS Device
  • 万方数据
    半导体技术 반도체기술
    SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
    2007年 3期 217-219 ,共3页

    周鹏举%马晓华%曹艳荣%郝跃

    주붕거%마효화%조염영%학약

    经时击穿%器件寿命%E模型%1/E模型 經時擊穿%器件壽命%E模型%1/E模型
    경시격천%기건수명%E모형%1/E모형
    采用恒定电压应力对90 nm NMOS器件进行了TDDB击穿的评价实验,深入研究了90 nm情况下TDDB的击穿机理,并对器件寿命进行预测和分析.结果表明,随着栅厚的不断减薄,E和1/E寿命预测模型不再适用.本文提出了一个器件寿命的修正模型,并按此模型对NMOS器件寿命进行预测,结果和实际值取得了很好的一致.
    채용항정전압응력대90 nm NMOS기건진행료TDDB격천적평개실험,심입연구료90 nm정황하TDDB적격천궤리,병대기건수명진행예측화분석.결과표명,수착책후적불단감박,E화1/E수명예측모형불재괄용.본문제출료일개기건수명적수정모형,병안차모형대NMOS기건수명진행예측,결과화실제치취득료흔호적일치.
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