Ag掺杂ZnO的第一性原理计算
Ag참잡ZnO적제일성원리계산
First-Principles Calculation of ZnO Doped with Ag
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2007年 5期 696-700 ,共5页

    万齐欣%熊志华%饶建平%戴江南%乐淑萍%王古平%江风益

    만제흔%웅지화%요건평%대강남%악숙평%왕고평%강풍익

    ZnO%Ag%第一性原理%电子结构 ZnO%Ag%第一性原理%電子結構
    ZnO%Ag%제일성원리%전자결구
    采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag掺杂ZnO的几何结构、杂质形成能和电子结构进行了比较系统的研究.研究表明,掺Ag导致晶格膨胀;在ZnO晶格中,杂质Ag最可能以替代Zn位出现,此时将形成一个深受主能级.文中的计算结果与其他研究者的实验结果相吻合.
    채용기우밀도범함이론적제일성원리안세법대Ag참잡ZnO적궤하결구、잡질형성능화전자결구진행료비교계통적연구.연구표명,참Ag도치정격팽창;재ZnO정격중,잡질Ag최가능이체대Zn위출현,차시장형성일개심수주능급.문중적계산결과여기타연구자적실험결과상문합.
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