电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2007年
2期
380-383
,共4页
蒋东铭%黄风义%陆静学%赵亮
蔣東銘%黃風義%陸靜學%趙亮
장동명%황풍의%륙정학%조량
低噪声放大器%CMOS工艺%噪声优化%电感模型
低譟聲放大器%CMOS工藝%譟聲優化%電感模型
저조성방대기%CMOS공예%조성우화%전감모형
通过对输入匹配、噪声和线性度的分析,给出了改进低噪声放大器综合性能的方法.利用软件对电路进行噪声优化,设计出了一个0.18μmCMOS工艺的5.8GHz全集成低噪声放大器.采用工艺厂家提供的电感测试数据进行参数提取,得到精准的电感模型并用于电路仿真.设计结果是整个电路功耗13mW,功率增益为14dBm,噪声系数为2.05dB,线性度指标IIP3为-1dBm.
通過對輸入匹配、譟聲和線性度的分析,給齣瞭改進低譟聲放大器綜閤性能的方法.利用軟件對電路進行譟聲優化,設計齣瞭一箇0.18μmCMOS工藝的5.8GHz全集成低譟聲放大器.採用工藝廠傢提供的電感測試數據進行參數提取,得到精準的電感模型併用于電路倣真.設計結果是整箇電路功耗13mW,功率增益為14dBm,譟聲繫數為2.05dB,線性度指標IIP3為-1dBm.
통과대수입필배、조성화선성도적분석,급출료개진저조성방대기종합성능적방법.이용연건대전로진행조성우화,설계출료일개0.18μmCMOS공예적5.8GHz전집성저조성방대기.채용공예엄가제공적전감측시수거진행삼수제취,득도정준적전감모형병용우전로방진.설계결과시정개전로공모13mW,공솔증익위14dBm,조성계수위2.05dB,선성도지표IIP3위-1dBm.
