电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2009年
6期
1035-1039
,共5页
章少杰%孙玲玲%洪慧%罗世钦%吕彬义
章少傑%孫玲玲%洪慧%囉世欽%呂彬義
장소걸%손령령%홍혜%라세흠%려빈의
超高频(UHF)%射频识别(RFID)%低电压%低功耗
超高頻(UHF)%射頻識彆(RFID)%低電壓%低功耗
초고빈(UHF)%사빈식별(RFID)%저전압%저공모
本文从设计符合EPCTM C1G2协议的超高频无源射频识别标签芯片的角度出发,对RFID标签芯片模拟前端电路进行设计.通过对各个关键电路的功耗与电源进行优化,实现了一个符合协议要求的低电压、低功耗的超高频无源RFID标签芯片的模拟前端.该UHF RFID标签模拟前端设计采用SMIC 0.18 μm EEPROM CMOS工艺库.仿真结果表明,标签芯片模拟前端的整体功耗控制在2.5 μW以下,工作电源可低至1 V,更好地满足了超高频无源射频识别标签芯片应用需求.
本文從設計符閤EPCTM C1G2協議的超高頻無源射頻識彆標籤芯片的角度齣髮,對RFID標籤芯片模擬前耑電路進行設計.通過對各箇關鍵電路的功耗與電源進行優化,實現瞭一箇符閤協議要求的低電壓、低功耗的超高頻無源RFID標籤芯片的模擬前耑.該UHF RFID標籤模擬前耑設計採用SMIC 0.18 μm EEPROM CMOS工藝庫.倣真結果錶明,標籤芯片模擬前耑的整體功耗控製在2.5 μW以下,工作電源可低至1 V,更好地滿足瞭超高頻無源射頻識彆標籤芯片應用需求.
본문종설계부합EPCTM C1G2협의적초고빈무원사빈식별표첨심편적각도출발,대RFID표첨심편모의전단전로진행설계.통과대각개관건전로적공모여전원진행우화,실현료일개부합협의요구적저전압、저공모적초고빈무원RFID표첨심편적모의전단.해UHF RFID표첨모의전단설계채용SMIC 0.18 μm EEPROM CMOS공예고.방진결과표명,표첨심편모의전단적정체공모공제재2.5 μW이하,공작전원가저지1 V,경호지만족료초고빈무원사빈식별표첨심편응용수구.
