西安交通大学学报
西安交通大學學報
서안교통대학학보
JOURNAL OF XI'AN JIAOTONG UNIVERSITY
2011年
1期
31-37
,共7页
射流冲击%强化换热%流动沸腾%方柱微结构
射流遲擊%彊化換熱%流動沸騰%方柱微結構
사류충격%강화환열%류동비등%방주미결구
对喷射条件下的电子芯片在FC-72中的流动沸腾换热进行了研究,并和同工况下的光滑芯片作了对比.实验选取的工况如下:过冷度为25、35℃;横流速度V<,c>为0.5、1、1.5 m/s;喷射速度V<,j>为0、1、2 m/s.实验采用的硅片尺寸为10 min×l0 mm×0.5 mm,通过干腐蚀技术在其表面加工出30μm×120μm、50μm×120μm的方柱微结构.实验表明,所有芯片的换热性能都随过冷度和流速的增加而提高,方柱微结构能明显地强化芯片换热,而射流冲击进一步提高了芯片在高热流密度下的换热性能.同一横流速度下,喷射速度越大,换热性能越好,尤其是V<,c>=0.5 m/s、V<,j>=2 m/s时,强化效果最显著.随着横流速度的增加,射流冲击的强化效果减弱,临界热流密度值增幅减小.
對噴射條件下的電子芯片在FC-72中的流動沸騰換熱進行瞭研究,併和同工況下的光滑芯片作瞭對比.實驗選取的工況如下:過冷度為25、35℃;橫流速度V<,c>為0.5、1、1.5 m/s;噴射速度V<,j>為0、1、2 m/s.實驗採用的硅片呎吋為10 min×l0 mm×0.5 mm,通過榦腐蝕技術在其錶麵加工齣30μm×120μm、50μm×120μm的方柱微結構.實驗錶明,所有芯片的換熱性能都隨過冷度和流速的增加而提高,方柱微結構能明顯地彊化芯片換熱,而射流遲擊進一步提高瞭芯片在高熱流密度下的換熱性能.同一橫流速度下,噴射速度越大,換熱性能越好,尤其是V<,c>=0.5 m/s、V<,j>=2 m/s時,彊化效果最顯著.隨著橫流速度的增加,射流遲擊的彊化效果減弱,臨界熱流密度值增幅減小.
대분사조건하적전자심편재FC-72중적류동비등환열진행료연구,병화동공황하적광활심편작료대비.실험선취적공황여하:과랭도위25、35℃;횡류속도V<,c>위0.5、1、1.5 m/s;분사속도V<,j>위0、1、2 m/s.실험채용적규편척촌위10 min×l0 mm×0.5 mm,통과간부식기술재기표면가공출30μm×120μm、50μm×120μm적방주미결구.실험표명,소유심편적환열성능도수과랭도화류속적증가이제고,방주미결구능명현지강화심편환열,이사류충격진일보제고료심편재고열류밀도하적환열성능.동일횡류속도하,분사속도월대,환열성능월호,우기시V<,c>=0.5 m/s、V<,j>=2 m/s시,강화효과최현저.수착횡류속도적증가,사류충격적강화효과감약,림계열류밀도치증폭감소.
