发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2012年
6期
640-646
,共7页
徐华伟%宁永强%曾玉刚%张星%秦莉%刘云%王立军
徐華偉%寧永彊%曾玉剛%張星%秦莉%劉雲%王立軍
서화위%저영강%증옥강%장성%진리%류운%왕립군
激光器%AlGaInAs%量子阱%数值模拟
激光器%AlGaInAs%量子阱%數值模擬
격광기%AlGaInAs%양자정%수치모의
为了提高852 nm半导体激光器的温度稳定性,理论计算了InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的增益,模拟对比并研究了不同量子阱的增益峰值和峰值波长随温度的漂移.结果显示,采用In015Ga0.74-Al0.11As作为852 nm半导体激光器的量子阱可以使器件同时具有较高的增益峰值和良好的温度稳定性.使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长了压应变In0.15Ga0.74Al0.11As单量子阱852 nm半导体激光器,实验测得波长随温度漂移的数值为0.256 nm/K,实验测试结果验证了理论计算结果.
為瞭提高852 nm半導體激光器的溫度穩定性,理論計算瞭InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的增益,模擬對比併研究瞭不同量子阱的增益峰值和峰值波長隨溫度的漂移.結果顯示,採用In015Ga0.74-Al0.11As作為852 nm半導體激光器的量子阱可以使器件同時具有較高的增益峰值和良好的溫度穩定性.使用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)外延生長瞭壓應變In0.15Ga0.74Al0.11As單量子阱852 nm半導體激光器,實驗測得波長隨溫度漂移的數值為0.256 nm/K,實驗測試結果驗證瞭理論計算結果.
위료제고852 nm반도체격광기적온도은정성,이론계산료InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs화GaAs양자정적증익,모의대비병연구료불동양자정적증익봉치화봉치파장수온도적표이.결과현시,채용In015Ga0.74-Al0.11As작위852 nm반도체격광기적양자정가이사기건동시구유교고적증익봉치화량호적온도은정성.사용금속유궤화학기상침적(MOCVD)외연생장료압응변In0.15Ga0.74Al0.11As단양자정852 nm반도체격광기,실험측득파장수온도표이적수치위0.256 nm/K,실험측시결과험증료이론계산결과.
