无机材料学报
無機材料學報
무궤재료학보
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS
2006年
1期
211-216
,共6页
季振国%赵丽娜%何作鹏%陈琛%周强
季振國%趙麗娜%何作鵬%陳琛%週彊
계진국%조려나%하작붕%진침%주강
铟锡氧化物%透明导电薄膜%p型导电%喷雾热解
銦錫氧化物%透明導電薄膜%p型導電%噴霧熱解
인석양화물%투명도전박막%p형도전%분무열해
利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜.主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸收特性等的影响.结果表明,当In/Sn比较小时,薄膜为金红石结构的二氧化锡,导电类型为n型;当In/Sn比在0.06～0.25范围内且热处理温度T≥600℃时,薄膜仍为金红石结构,但导电类型转为p型的;当In/Sn比超过0.3时,薄膜中有立方相的In2Sn2O7-x生成,由于氧空位的存在,薄膜又转变为n型.因此要获得p型导电的铟锡氧化物薄膜,In/Sn比不宜过低,也不能过高.热处理温度对薄膜的导电类型也有影响,对于In/Sn=0.2的薄膜,温度低于550℃时薄膜为n型导电,但当热处理温度高于550℃时,由于In3+取代Sn4+,因此薄膜为p型导电.当热处理温度高于700℃时,薄膜中空穴浓度达到饱和数值为4×1018cm-3,与此同时,透射率在可见光范围内仍高达80%以上.
利用噴霧熱解法製備瞭p型銦錫氧化物透明導電薄膜.主要研究瞭銦含量和熱處理溫度對薄膜的晶體結構、導電類型和載流子濃度以及光吸收特性等的影響.結果錶明,噹In/Sn比較小時,薄膜為金紅石結構的二氧化錫,導電類型為n型;噹In/Sn比在0.06～0.25範圍內且熱處理溫度T≥600℃時,薄膜仍為金紅石結構,但導電類型轉為p型的;噹In/Sn比超過0.3時,薄膜中有立方相的In2Sn2O7-x生成,由于氧空位的存在,薄膜又轉變為n型.因此要穫得p型導電的銦錫氧化物薄膜,In/Sn比不宜過低,也不能過高.熱處理溫度對薄膜的導電類型也有影響,對于In/Sn=0.2的薄膜,溫度低于550℃時薄膜為n型導電,但噹熱處理溫度高于550℃時,由于In3+取代Sn4+,因此薄膜為p型導電.噹熱處理溫度高于700℃時,薄膜中空穴濃度達到飽和數值為4×1018cm-3,與此同時,透射率在可見光範圍內仍高達80%以上.
이용분무열해법제비료p형인석양화물투명도전박막.주요연구료인함량화열처리온도대박막적정체결구、도전류형화재류자농도이급광흡수특성등적영향.결과표명,당In/Sn비교소시,박막위금홍석결구적이양화석,도전류형위n형;당In/Sn비재0.06～0.25범위내차열처리온도T≥600℃시,박막잉위금홍석결구,단도전류형전위p형적;당In/Sn비초과0.3시,박막중유립방상적In2Sn2O7-x생성,유우양공위적존재,박막우전변위n형.인차요획득p형도전적인석양화물박막,In/Sn비불의과저,야불능과고.열처리온도대박막적도전류형야유영향,대우In/Sn=0.2적박막,온도저우550℃시박막위n형도전,단당열처리온도고우550℃시,유우In3+취대Sn4+,인차박막위p형도전.당열처리온도고우700℃시,박막중공혈농도체도포화수치위4×1018cm-3,여차동시,투사솔재가견광범위내잉고체80%이상.
