插入生长AlGaAs薄膜对InAs量子点探测器性能的影响
삽입생장AlGaAs박막대InAs양자점탐측기성능적영향
The effect of the inserted AlGaAs films on the behaviors of InAs quantum dot detector
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2008年 2期 1155-1160 ,共6页

    王茺%刘昭麟%李天信%陈平平%崔昊杨%肖军%张曙%杨宇%陆卫

    왕충%류소린%리천신%진평평%최호양%초군%장서%양우%륙위

    InAs 量子点%AlGaAs薄膜%光致发光光谱%有效质量近似模型 InAs 量子點%AlGaAs薄膜%光緻髮光光譜%有效質量近似模型
    InAs 양자점%AlGaAs박막%광치발광광보%유효질량근사모형
    利用分子束外延生长获得的两个InAs量子点样品制备了n型的量子点红外探测器.对于其中一个器件,在InAs量子点有源区的底部和顶部分别插入生长了AlGaAs势垒层.利用透射电阻显微技术研究了两个样品的结构特性;利用光致发光光谱和光电流谱研究了两个器件的光电性质.实验结果表明,AlGaAs层的插入对器件的探测性质有显著的影响.利用有三维效质量近似模型的计算结果,指认了带内光电流谱中峰结构的起源.
    이용분자속외연생장획득적량개InAs양자점양품제비료n형적양자점홍외탐측기.대우기중일개기건,재InAs양자점유원구적저부화정부분별삽입생장료AlGaAs세루층.이용투사전조현미기술연구료량개양품적결구특성;이용광치발광광보화광전류보연구료량개기건적광전성질.실험결과표명,AlGaAs층적삽입대기건적탐측성질유현저적영향.이용유삼유효질량근사모형적계산결과,지인료대내광전류보중봉결구적기원.
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