微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2008年
3期
179-182
,共4页
王晓冬%吉元%钟涛兴%李志国%夏洋%刘丹敏%肖卫强
王曉鼕%吉元%鐘濤興%李誌國%夏洋%劉丹敏%肖衛彊
왕효동%길원%종도흥%리지국%하양%류단민%초위강
Cu互连%氮氧化硅%钽%扩散阻挡层%二次离子质谱仪%X射线衍射仪
Cu互連%氮氧化硅%鐽%擴散阻擋層%二次離子質譜儀%X射線衍射儀
Cu호련%담양화규%단%확산조당층%이차리자질보의%X사선연사의
采用二次离子质谱仪(SIMS)测试了SiON和Ta双层扩散阻挡层及Ta扩散阻挡层的阻挡性能;采用X射线衍射仪(XRD)测量了沉积态有Ta阻挡层和无阻挡层Cu膜的晶体学取向结构;利用电子薄膜应力测试仪测量了具有双层阻挡层Cu膜的应力分布状况.测试结果表明,双阻挡层中Ta黏附层有效地将Cu附着于Si基片上,并对Cu具有一定的阻挡效果,而SiON层则有效地阻止了Cu向SiO2中的扩散.与Ta阻挡层相比,双阻挡层具有较好阻挡性能.有Ta阻挡层的Cu膜的{111}织构明显强于无阻挡层的Cu膜.离子注氮后,薄膜样品应力平均值为206MPa;而电镀Cu膜后,样品应力平均值为-661.7 MPa.
採用二次離子質譜儀(SIMS)測試瞭SiON和Ta雙層擴散阻擋層及Ta擴散阻擋層的阻擋性能;採用X射線衍射儀(XRD)測量瞭沉積態有Ta阻擋層和無阻擋層Cu膜的晶體學取嚮結構;利用電子薄膜應力測試儀測量瞭具有雙層阻擋層Cu膜的應力分佈狀況.測試結果錶明,雙阻擋層中Ta黏附層有效地將Cu附著于Si基片上,併對Cu具有一定的阻擋效果,而SiON層則有效地阻止瞭Cu嚮SiO2中的擴散.與Ta阻擋層相比,雙阻擋層具有較好阻擋性能.有Ta阻擋層的Cu膜的{111}織構明顯彊于無阻擋層的Cu膜.離子註氮後,薄膜樣品應力平均值為206MPa;而電鍍Cu膜後,樣品應力平均值為-661.7 MPa.
채용이차리자질보의(SIMS)측시료SiON화Ta쌍층확산조당층급Ta확산조당층적조당성능;채용X사선연사의(XRD)측량료침적태유Ta조당층화무조당층Cu막적정체학취향결구;이용전자박막응력측시의측량료구유쌍층조당층Cu막적응력분포상황.측시결과표명,쌍조당층중Ta점부층유효지장Cu부착우Si기편상,병대Cu구유일정적조당효과,이SiON층칙유효지조지료Cu향SiO2중적확산.여Ta조당층상비,쌍조당층구유교호조당성능.유Ta조당층적Cu막적{111}직구명현강우무조당층적Cu막.리자주담후,박막양품응력평균치위206MPa;이전도Cu막후,양품응력평균치위-661.7 MPa.
